ことの始まりは、VT105 シングルアンプの音が高域に偏った風に聞こえるので弄り始めました。初段12AT7に電流を多く流してみようと考えたのです。
ということで 抵抗結合データ から似たような動作ポイントを探します。
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Ebb=250V Rp=100K Rk=680Ω Ib=1.62mA と見当をつけてバラックで配線をして特性をとりましたが上手くいきません。どうやってもひずみ率が悪くなります。
ひずみの打ち消し
前段、終段とも元々直線性の悪いひずみの多いアンプです。普通はゲインを多く稼いでフィードバックをかけるのが常套手段ですが、NFは使いません。
カットアンドトライでひずみが少ないポイントを探します。カソード抵抗を多く、プレート電圧を低くするとひずみ率が改善するという事が分かりました。おそらく初段と最終段でひずみの打ち消しによる効果だと思います。
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結果は図のとおり。カソード抵抗=5.1KΩ プレート電圧=55Vでそこそこの特性になりました。NFなしの最終ひずみ率特性です。赤が前回、緑が今回。もっと追い込めばさらに良くなるかもしれませんが、なかなか根気の要る作業で、時間切れです。
さらに追い込み
プレート電圧を下げるとひずみ率はさらに良くなりますが、サイン波のクリップ(最大出力)が早くなります。那須氏の原回路 45Vとの中をとって 50Vにした結果が以下のとおりです。
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雑音ひずみ率特性
今までは歪率だけの測定をしていましたが、”雑音ひずみ率” の特性をとってみる。
10KHzだけが異常に多いのでびっくり。
打消しが上手く働いていないようです。
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1KHzと10KHzのスペアナ結果を貼っておきます。
1KHzは2次のひずみが減っている事が分かります。
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10KHzはどうやっても減すことができません
2次のひずみが下がらないのが原因です。
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初段の最終回路
10KHzのひずみ打消しのポイントがどこかにあると思いますが、見つけられません。
ということで 抵抗結合データ から似たような動作ポイントを探します。
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Ebb=250V Rp=100K Rk=680Ω Ib=1.62mA と見当をつけてバラックで配線をして特性をとりましたが上手くいきません。どうやってもひずみ率が悪くなります。
ひずみの打ち消し
前段、終段とも元々直線性の悪いひずみの多いアンプです。普通はゲインを多く稼いでフィードバックをかけるのが常套手段ですが、NFは使いません。
カットアンドトライでひずみが少ないポイントを探します。カソード抵抗を多く、プレート電圧を低くするとひずみ率が改善するという事が分かりました。おそらく初段と最終段でひずみの打ち消しによる効果だと思います。
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結果は図のとおり。カソード抵抗=5.1KΩ プレート電圧=55Vでそこそこの特性になりました。NFなしの最終ひずみ率特性です。赤が前回、緑が今回。もっと追い込めばさらに良くなるかもしれませんが、なかなか根気の要る作業で、時間切れです。
さらに追い込み
プレート電圧を下げるとひずみ率はさらに良くなりますが、サイン波のクリップ(最大出力)が早くなります。那須氏の原回路 45Vとの中をとって 50Vにした結果が以下のとおりです。
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今までは歪率だけの測定をしていましたが、”雑音ひずみ率” の特性をとってみる。
10KHzだけが異常に多いのでびっくり。
打消しが上手く働いていないようです。
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1KHzは2次のひずみが減っている事が分かります。
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10KHzはどうやっても減すことができません
2次のひずみが下がらないのが原因です。
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初段の最終回路
10KHzのひずみ打消しのポイントがどこかにあると思いますが、見つけられません。